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工艺能力

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  • 分类:关于我们
  • 发布时间:2019-10-18 00:00:00
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概要:
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具有研究和开发微电子、光电子、功率电子器件等领域的先进封装线、提供完整的后端工序。

封测类型覆盖DIP、SOP、SOT、STP、QFN、LCC、TO、LGA等系列封装,并积极布局研发WLP(晶圆级封装)和SIP(系统级封装)等先进封装。

持续开展工艺研发,已申请专利36项,授权专利19项(发明专利6项)。

特色工艺能力:

微系统封装平台(8英寸):平台开放运行,可以用于压电MEMS器件、GaN/SiC电力电子器件和原子芯片系统等研发和试制。

芯片原子钟工艺——国内首条面向芯片级原子器件MEMS工艺线。

原子磁力计工艺——4mm厚MEMS原子气室制备技术、三轴原子磁力计MEMS原子气室制备技术、超表面光学加工技术。

FBAR滤波器工艺——8英寸AlN压电器件开放平台。 

GaN-HEMT 功率器件工艺——国内最为全面的GaN开关射频器件研发平台,采用氢等离子体刻蚀技术代替传统干法刻蚀工艺。

 

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