工艺能力

l 具有研究和开发微电子、光电子、功率电子器件等领域的先进封装线、提供完整的后端工序。

l 封测类型覆盖DIP、SOP、SOT、STP、QFN、LCC、TO、LGA等系列封装，并积极布局研发WLP（晶圆级封装）和SIP（系统级封装）等先进封装。

l 持续开展工艺研发，已申请专利36项，授权专利19项（发明专利6项）。

l 特色工艺能力：

微系统封装平台（8英寸）：平台开放运行，可以用于压电MEMS器件、GaN/SiC电力电子器件和原子芯片系统等研发和试制。

芯片原子钟工艺——国内首条面向芯片级原子器件MEMS工艺线。

原子磁力计工艺——4mm厚MEMS原子气室制备技术、三轴原子磁力计MEMS原子气室制备技术、超表面光学加工技术。

FBAR滤波器工艺——8英寸AlN压电器件开放平台。 

GaN-HEMT 功率器件工艺——国内最为全面的GaN开关射频器件研发平台，采用氢等离子体刻蚀技术代替传统干法刻蚀工艺。